GTEM小室是根據(jù)同軸及非對稱矩形傳輸線原理設(shè)計而成的設(shè)備。為避免內(nèi)部電磁波的反射和諧振GTEM小室在外形上被設(shè)計成錐形其輸入端采用N型同軸接頭隨后中心導(dǎo)體展平成為一塊扇形板稱為芯板。在小室的芯板和底板之間形成矩形均勻場區(qū)。為了使球面波嚴(yán)格地說由N型接頭向GTEM小室傳播的是球面波但由于所設(shè)計的張角很小因而該球面波近似于平面波從輸入端到負(fù)載端有良好的傳輸特性芯板的終端因采用了分布式電阻匹配網(wǎng)絡(luò)從而成為無反射終端。
 

　　GTEM小室的端面還貼有吸波材料用它對頻率的電磁波作進一步吸收。因此在小室的芯板和底板之間產(chǎn)生了一個均勻場強的測試區(qū)域。試驗時試品被置于測試區(qū)中為了做到不因試品置入而過于影響場的均勻性試品以不超過芯板和底板之間距離的1/3高度為宜。
 

 

　　GTEM小室設(shè)計注意事項：
 

　　(1)同軸過渡接頭段及斧形塊的準(zhǔn)確加工同軸過渡接頭處的電流非常密集，并且對尺寸很敏感，所以對其正確、準(zhǔn)確的加工十分重要，以確保其特性阻抗，使其能與同軸線匹配。
 

　　(2)負(fù)載電阻面陣這主要從電路的角度，采用高頻無感電阻制作分配型阻抗電阻面陣作為阻性負(fù)載，保證低頻時較小的反射。在制作電阻面陣時，應(yīng)適當(dāng)減小高頻無感電阻的引線，以避免引入不必要的引線電感。此外，焊接電阻時，要防止毛刺產(chǎn)生。
 

　　(3)微波吸收材料這主要從場的角度，人為構(gòu)造輻射吸收邊界，高頻時吸收由端口傳來的電磁波，盡可能減少電磁反射，從而克服了傳統(tǒng)小室固有的諧振現(xiàn)象，保證了高頻時的寬帶負(fù)載匹配。一般選擇聚氨脂吸波材料。選擇時，要確保其尖劈高度L大于人射波波長入的一半，并且1/γ越大越好：尖劈頂角應(yīng)大小合適，以確保有一定的反射次數(shù)，通過入射波與反射波的相位差或反相位以起到反射衰減的作用：此外，還應(yīng)保證吸波材料有一定的底座高度，從而具備良好的吸收衰減。